生 1925年3月12日
日本の物理学者である。 建築技師である江崎壮一郎の長男として大阪府大阪市にて誕生。1947年に東京帝国大学を卒業し、川西機械製作所（後の神戸工業株式会社、現在の富士通テン）に入社。真空管の陰極からの熱電子放出の研究を行った。1956年、東京通信工業株式会社（現在のソニー）に移籍。半導体研究室の主任研究員として、PN接合ダイオードの研究に着手。約1年間の試行錯誤の後、ゲルマニウムのPN接合幅を薄くすると、その電流電圧特性はトンネル効果による影響が支配的となり、逆方向の方が順方向よりも電流が流れやすいという負性抵抗を示すことを発見した。

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